【解密】深科达半导体公开配气盘组件及装置 缩小操作难度及维护时间；超频三：已累计获得有效授权专利539项；安徽大学“量子计算用国产极低温稀释制冷机”项目通过鉴定
作者：leyu手机版登录入口 发布日期： 2024-07-24
【解密】深科达半导体公开配气盘组件及装置 缩小操作难度及维护时间；超频三：已累计获得有效授权专利539项；安徽大学“量子计算用国产极低温稀释制冷机”项目通过鉴定
1.【专利解密】深科达半导体公开配气盘组件及装置 缩小操作难度及维护时间
1.【专利解密】深科达半导体公开配气盘组件及装置 缩小操作难度及维护时间
【爱集微点评】深科达半导体提出的配气盘组件和配气装置方案，该方案中的配气盘组件能提高配气盘的常规使用的寿命，加强密封结构稳定性。并能减小维护时操作难度、缩短维护时间，有利于降低维护成本。
真空配气盘的结构最重要的包含配气盘内轴、密封圈、配气盘座和气嘴。配气盘内轴与配气盘座通过内外轴公差配合方式装配，中间用密封圈保证气密性。真空从配气盘内轴上端接入，轴下端输出至配气盘座，配气盘座再通过气嘴气管连接，把真空传递至转盘吸嘴。
现有技术方案存在两个缺陷：其一，结构在气密性能上稳定性低。在设备刚开始运行时，密封圈润滑油脂处于温度较低状态，润滑性能降低，使密封圈摩擦系数加大，进而影响密封圈使用寿命。
其二，此结构需要定期维护和更换密封圈，当要开展此工作时，需要把整个转塔机构上部进行拆卸，工作量大且操作繁琐，维护时间成本和人力成本高。
因此，深科达半导体在2022年8月25日申请了一项名为“一种配气盘组件和配气装置”的发明专利（申请号：0.5），申请人为深圳市深科达半导体科技有限公司。
如上图，为该专利中公开的配气盘组件的结构示意图，该设备能有效提升配气盘的常规使用的寿命以及加强密封结构的稳定性。该配气装置包含工作转盘200、旋转驱动件以及配气盘组件100。旋转驱动件与工作转盘传动连接，用于带动工作转盘绕其中轴线旋转。配气盘组件固定安装在工作转盘上，且与工作转盘同轴转动。
配气盘组件包括：配气盘上盖110、配气盘本体120、配气盘底座130和压接结构140，配气盘上盖、配气盘本体和配气盘底座依次连接。配气盘上盖的端面与配气盘的端面密封贴合，本体的另一端面与配气盘底座的端面密封贴合，其底座用于与工作转盘同轴设置且固定安装在工作转盘上。压接结构与配气盘上盖连接，并压接于配气盘上盖上。
在该方案中，配气盘上盖、配气盘本体和配气盘底座相互之间通过贴合的方式密封，即：配气盘上盖的端面与配气盘的端面密封贴合，配气盘的另一端面与配气盘底座的端面密封贴合。如此以来，通过贴合的方式密封，可以免除密封圈的使用，从而避免因密封圈磨损引起的寿命缺陷，同时，也无需定期更换和维护密封圈。
同时，由于该方案通过压接结构与配气盘上盖连接，并压接密封配气盘上盖。在来维护清理时，可以便捷地清理摩擦配合的两个端面，因此操作简单便捷、方便，有利于节约维护时间，降低相关工作成本。
如上图，为上述配气盘组件沿中轴线的剖视结构示意图。压接结构包括压接件141、连接件142和压接弹性件143。压接件与配气盘上盖连接，连接件穿过压接件并伸入配气盘上盖与配气盘上盖连接，压接弹性件抵接在连接件上，用于与压接件共同对配气盘上盖施加作用力。
也就是说，在该方案中，压接件直接与配气盘上盖接触，并通过连接件和压接弹性件压接在配气盘上盖上。连接件穿过压接件并伸入到配气盘上盖，压接弹性件抵接在连接件上，通过连接件作用于配气盘上盖，使压接件和配气盘上盖收到弹性约束。由此，既能够得到更佳的气密性效果，又能够在需要清理维护时上提配气盘上盖，实现对配气盘上盖和配气盘主体的端面进行清理。
如上图，为配气盘组件结构示意图中A处的放大结构示意图。连接件远离压接件的一端设有与压接弹性件抵接的抵接部1421，压接弹性件套设于抵接部上。抵接部大体为连接件端部设置的台阶部，压接弹性件为压簧，套设并抵接在抵接部上。当然，抵接部也可以为其他的结构及形式，比如在连接件的端部设置环状凸起，通过该环状凸起起到抵接压接弹性件的作用。
以上就是深科达半导体提出的配气盘组件和配气装置方案，该方案中的配气盘组件能提高配气盘的常规使用的寿命，加强密封结构稳定性。并能减小维护时操作难度、缩短维护时间，有利于降低维护成本。
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近日，有投入资金的人在投资者互动平台提问：贵公司研发如何？有没有新型专利，重磅产品啊？产品感觉技术上的含金量一般啊?
超频三(300647.SZ)3月28日在投资者互动平台表示，目前，公司已形成了一整套具有自主知识产权的技术体系，为公司未来新产品、新工艺的持续创新奠定了坚实的技术基础。截至2022年6月，公司及各子公司已累计获得有效授权专利539项，注册商标121项，著作权45项。
截至发稿，超频三市值为36.72亿元，股价为8.03元/股，较前一日收盘价下跌2.31%。
3月24日，在上海临港科创大会上，由上海集成电路材料研究院（上海集材汇智集成电路技术有限公司）与国内集成电路制造公司牵头组建的临港新片区集成电路材料创新联合体作为首批认定的6家中国（上海）自由贸易试验区临港新片区创新联合体之一正式授牌。
上海集成电路材料研究院由中国科学院上海微系统与信息技术研究所和上海硅产业集团股份有限公司发起组建，聚焦集成电路衬底材料、工艺材料和前沿技术的研发与产业化。（校对/赵碧莹）
利用固态电解质可明显提升高能量密度锂金属电池的安全性能，无机/有机固态电解质具有柔韧性好和界面接触阻抗低等优点，是最具规模化应用潜力的固态电解质之一。然而，复合固态电解质的低离子电导率还不足以满足固态锂金属电池的实际应用要求。电导率经典理论表明，固态电解质的离子电导率不仅取决于离子的迁移速率（μi），而且与可迁移自由离子的浓度（ci）成正比。因此，要突破固态电解质的锂离子电导率阈值，不但要增强锂离子输运能力，还需提升可自由移动的锂离子浓度。由经典麦克斯韦方程ρcharge = ∇ · D可知，高介电常数陶瓷材料在外电场下的极化产生内置反向电场，从微观尺度可能会影响复合电解质中锂盐的解离。因此，陶瓷电介质与电解质的耦合是同步产生更多可移动锂离子并实现高效离子输运的重要潜在策略。
近日，清华大学深圳国际研究生院康飞宇、贺艳兵团队与中国科学院大连化物所钟贵明副研究员合作提出了介电陶瓷材料耦合新方法，提出了创建高通量锂离子输运路径以克服复合固态电解质低离子电导率挑战的新策略，构建了高离子电导无机/有机复合固态电解质介电材料，同步实现了锂盐高效解离和离子“跨物相”快速传递。具体而言，研究团队将BaTiO3-Li0.33La0.56TiO3-x并肩耦合结构纳米线与聚偏氟乙烯基体（PVDF）电解质复合，构建了高离子电导高介电复合固态电解质材料（PVBL），发现置于电场下的高介电常数BaTiO3被极化产生内置反向电场，将锂盐（LiFSI）的解离度提升了25%，使PVBL产生更高浓度的自由移动锂离子。同时，研究团队通过理论计算发现锂离子跨越BaTiO3-Li0.33La0.56TiO3-x异质结构物相过程中能量降低，自由锂离子能够就地自发穿越异质结构界面，快速转移到耦合的Li0.33La0.56TiO3-x纳米线同步实施高效输运。BaTiO3-Li0.33La0.56TiO3-x异质结构还有效减弱了其与PVDF相的空间电荷层强度，该耦合效应创制的高浓度自由锂离子以及PVDF相、LLTO相与界面等多重协同高效传输路径，使PVBL的室温离子电导率达8.2×10−4S cm−1，锂离子迁移数提升到0.57，活化能降低到0.2eV，LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2/PVBL/Li固态电池在1C下稳定循环超过1500次，在-20oC下仍表现出良好的容量与循环稳定性，该复合固态电解质组装的软包固态电池也表现出优异的电化学与安全性能。该研究率先通过介电陶瓷材料耦合效应，大幅度的提高了复合固态电解质的离子输运能力和可移动锂离子的浓度，为突破复合固态电解质的离子电导率阈值奠定了理论基础。
图1.具有并肩耦合结构的BaTiO3-Li0.33La0.56TiO3-x纳米线填料及其所构建的PVBL复合固态电解质结构表征
论文的共同通讯作者为清华大学深圳国际研究生院康飞宇教授、贺艳兵副教授及中国科学院大连化物所钟贵明副研究员，第一作者为清华大学深圳国际研究生院2018级博士生史沛然、2021级博士生马家宾和柳明助理教授。论文合作者包括清华大学深圳国际研究生院吕伟副教授、深圳大学黄妍斐助理教授等。该研究得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、广东省重点研发计划、深圳市杰出青年基础研究、深圳市重点基础研究等项目的支持。（来源：清华大学深圳国际研究生院）
3月26日，安徽大学物质科学与信息技术研究院单磊教授、王绍良研究员团队自主研发的“量子计算用国产极低温稀释制冷机”项目通过鉴定。
合肥日报消息指出，鉴定委员会一致认为，极低温稀释制冷机满足量子计算需求，连续稳定运行的最低温度为8.5mK，制冷量为435μW@100 mK。项目创造已见公开报道的连续运行最低温度和制冷量两项国内纪录，总体水平国内领先、国际一流。
据悉，相关成果增强我国相关基础科学和技术领域的原始创造新兴事物的能力，进一步解决大摩尔流量条件下极低温流体热交换效率低的技术难题，研发出具有超大比表面积的极低温高效换热部件，同时实现了相关核心部件的完全自主研发。（校对/韩秀荣）
【集微发布】中国芯上市公司并购项目：并购总额增长超7倍 溢价率却显而易见地下降